姓    名：马俊

出生年月：1983.08

籍    贯：四川达州 

专业技术职称：助教

工作单位：四川职业技术学院 

主要研究方向：电子电气方向研究

主要教学与科研：

主要担任《计算机应用基础》、《电子线路基础》、《网络综合布线》等专业课程的教学工作，参与半导体器件，电子电路方向研究

发表论文：

[1] 马俊,胡涛,李泽宏,张波.具有复合耐压层的深槽型 DMOS 设计.第 16 届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集,杭州,2009

[2] Li Zehong, Ren Min, Zhang Bo, Ma Jun, Hu Tao, etc. Above 700V super-junction MOSFETs fabricated by deep trench etching and epitaxial growth. Journal of Semiconductors, Vol. 31, No. 8, August, 2010

[3]马俊，邓林. 高压硅功率器件的终端设计方法.中国科技经济新闻数据库 教育 2017.05